型號: | 2SC4937TR/AB |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
文件頁數(shù): | 3/3頁 |
文件大小: | 117K |
代理商: | 2SC4937TR/AB |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SB1308T101Q | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1767T100/PQ | 0.7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD1767T101/PR | 0.7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD2211T101/NQ | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD2153T101/UW | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SC494 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 50V 5A 50W BEC |
2SC4940-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4940-7012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4940-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4940-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |