參數(shù)資料
型號： 2SC4959-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
中文描述： 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管超小型模具
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： 2SC4959-T2
2SC4959
3
60
0
1
500 A
400 A
300 A
200 A
I
B
= 100 A
50
40
30
20
10
2
3
4
5
6
0.1
200
100
0
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
5 V
V
CE
= 3 V
14
0.5
12
10
8
6
4
2
1
2
5
10
20
50
5 V
3 V
V
CE
= 1 V
10
1
8
6
4
2
2
5
10
50
20
5 V
3 V
V
CE
= 1 V
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
INSERTION POWER GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
f = 2 GHz
f = 2 GHz
V
CE
– Collector to Emitter Voltage – V
I
C
– Collector Current – mA
I
C
– Collector Current – mA
I
C
– Collector Current – mA
I
C
h
F
f
T
S
2
2
m
m
m
m
m
4
0.5
3
2
1
0
1
2
5
10
20
50
0.2
0.5
1
2
5
10
20
0.3
0.4
0.5
0.6
f = 2 GHz
V
CE
= 3 V
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
f = 1 MHz
N
I
C
– Collector Current – mA
V
CB
– Collector to Base Voltage – V
C
r
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PDF描述
2SC4959-T1 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
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2SC4962 Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管)
2SC4963 Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管)
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參數(shù)描述
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2SC4978-7061 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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