參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4960A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type(For power switching)
中文描述： 1 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TOP3, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： 2SC4960A
1
Power Transistors
2SC4960, 2SC4960A
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power switching
I
Features
G
High-speed switching
G
High collector to base voltage V
CBO
G
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio h
FE
G
Full-pack package with outstanding insulation, which can be in-
stalled to the heat sink with one screw
I
Absolute Maximum Ratings
(T
C
=25C)
Parameter
Collector to
base voltage
Collector to emitter voltage
Collector to
emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Base current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Ratings
900
900
900
800
900
7
2
1
0.3
40
3
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
V
A
A
A
W
C
C
2SC4960
2SC4960A
2SC4960
2SC4960A
T
C
=25
°
C
Ta=25
°
C
I
Electrical Characteristics
(T
C
=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to emitter
voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
CEO
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
t
on
t
stg
t
f
Conditions
V
CB
= 900V, I
E
= 0
V
EB
= 7V, I
C
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 0.05A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
I
C
= 0.2A, I
B
= 0.04A
I
C
= 0.2A, I
B
= 0.04A
V
CE
= 10V, I
C
= 0.05A, f = 1MHz
I
C
= 0.2A, I
B1
= 0.04A, I
B2
= – 0.08A,
V
CC
= 250V
min
800
900
6
3
typ
4
max
50
50
1.5
1
1
3
1
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
MHz
μ
s
μ
s
μ
s
2SC4960
2SC4960A
Unit: mm
1:Base
2:Collector
3:Emitter
TOP–3 Full Pack Package(a)
15.0
±
0.3
11.0
±
0.2
2
±
0
1
±
0
1
S
3
0
1
±
0
5.0
±
0.2
3.2
10.9
±
0.5
5.45
±
0.3
3
2
1
1.1
±
0.1
2.0
±
0.2
0.6
±
0.2
2.0
±
0.1
φ
3.2
±
0.1
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2SC4978-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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