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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5103/P |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | 2SC5103/P |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2118/R | 10000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1516/NP | 3000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1181/PQ | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1862/N | 4000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1412/Q | 10000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5103Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252VAR |
| 2SC5103TL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5103TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5103TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN;CPT3 HFE RANK ’Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5104 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching) |
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