參數(shù)資料
型號: 2SC5120
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 0.2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-126FM, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 34K
代理商: 2SC5120
2SC5120
3
8
6
4
2
0
Ambient Temperature Ta (
°C)
Collector
Power
Dissipation
Pc
(W)
50
100
150
200
1.4W
Ta
Tc
Case Temperature Tc (
°C)
Maximum Collector Dissipation Curve
Collector to Emitter Voltage V
(V)
CE
Collector
Current
I
(mA)
C
ic(peak)
I max
C
1.0
0.2
0.5
0.1
0.02
0.01
0.05
10
20
50
100
200
500
PW
=
1
ms
1 shot pulse (Ta = 25
°C)
DC
Operation
(Tc
=
25
°C)
Area of Safe Operation
10
ms
0.2
0.1
05
10
Collector to Emitter Voltage V
(V)
CE
Collector
Current
I
(A)
C
I = 0
B
20 mA 18 mA 16 mA
2 mA
4 mA
6 mA
8 mA
10 mA
12
mA
14
mA
Typical Output Characteristics
Tc = 25
°C
相關PDF資料
PDF描述
2SC5120 0.2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5129 10 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5138YL-TL UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5138YL-TL UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5138YL-TR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5121 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type
2SC51210P 功能描述:TRANS NPN HF 400VCEO 70MA TO-126 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5122 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS)
2SC5122(F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN
2SC5122_06 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Type