- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄351952 > 2SC5200R Voltage Detectors in 4-Bump (2 x 2) Chip-Scale Package PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5200R |
| 英文描述： | Voltage Detectors in 4-Bump (2 x 2) Chip-Scale Package |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 230伏五（巴西）總裁|第15A一（c）|至264AA |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | 2SC5200R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5206 | |
| 2SC520A | Voltage Detectors in 4-Bump (2 x 2) Chip-Scale Package |
| 2SC521A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-3 |
| 2SC522 | Voltage Detectors in 4-Bump (2 x 2) Chip-Scale Package |
| 2SC5226-3 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-323 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5200-R(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5200RTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 230V 15A 150W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5201 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type High-Voltage Switching Applications |
| 2SC5201(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk |
| 2SC5201(T6MURATAFM | 功能描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 500mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。