型號: | 2SC5201 |
廠商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) |
中文描述: | npn型三重?cái)U(kuò)散梅薩型(高壓開關(guān)應(yīng)用) |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 77K |
代理商: | 2SC5201 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SC5208 | Silicon NPN Triple Diffused Type High-Voltage Switching Applications |
2SC5209 | FOR RELAY DRIVE POWER SUPPLY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
2SC5213 | 2SC5213 |
2SC5214 | For Low Frequency Amplify Application Silicon Npn Epitaxial Type |
2SC5216 | Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification/oscillation/mixing) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SC5201(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk |
2SC5201(T6MURATAFM | 功能描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 500mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
2SC5201(TE6,F,M) | 功能描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 500mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
2SC5201,F(J | 功能描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 500mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
2SC5201,T6F(J | 功能描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 500mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |