參數(shù)資料
型號： 2SC5322F
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 5V V(BR)CEO | 10MA I(C) | EMD3
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 5V的五（巴西）總裁| 10mA的一（c）| EMD3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 47K
代理商： 2SC5322F
2SC5304
No.5883-2/3
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1.0
1.2
1.4
hFE - I C
I C– VCE
I C - VBE
VCE(sat) - I C
VBE(sat) - I C
SW Time - I C
IB= 0
2.0A
0.2A
0.4A
0.6A
0.8A
1.0A
1.2A
1.4A
1.8A
1.6A
VCE=5V
T
a
=
120
°C
25
°C
–4
0°
C
25°C
–40°C
Ta=120°C
VCE=5V
–
40
°C
25
°C
Ta
=
120
°C
IC/IB=5
120°C
Ta=–40
°C
25°C
VCC= 200V
IC/IB1=5
IB2/IB1=2
R load
tf
tstg
DC
Current
Gain,h
FE
Collector Current, IC – A
Collector Current, IC –A
Collector
Current,
I
C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I
C
–A
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector–to–Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–V
Collector Current, IC –A
Base–to–Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–V
Switching
Time,
SW
Time
–
s
IB1
IB2
VOUT
RC
VCC
IB1
0.1 VOUT
IB2
VOUT
tstg
tf
0.9 VOUT
Switching Time Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5336(NE856M02) Discrete
2SC5336RE Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC5336RE-T1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243
2SC5336RF Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC5336RF-T1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243
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參數(shù)描述
2SC5322FT 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SC5323 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SC5324 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
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2SC5331(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
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