參數(shù)資料
型號： 2SC5466
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.05 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-10R1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 148K
代理商： 2SC5466
2SC5466
2006-11-10
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
olle
ct
or
cur
re
nt
I
C
(m
A)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
C
olle
ct
or
cur
re
nt
I
C
(m
A)
Collector current IC (mA)
VCE (sat) – IC
Ba
se-
emi
tte
rsa
tu
rati
on
v
o
ltage
V
BE
(s
at
)
(V
)
Collector current IC (mA)
VBE (sat) – IC
Ba
se-
emi
tte
rsa
tu
rati
on
v
o
ltage
V
BE
(s
at
)
(V
)
Collector current IC (mA)
hFE – IC
D
C
c
urr
en
tg
ai
n
h
FE
Collector-base voltage VCB (V)
Cob – VCB
Coll
ect
or
out
pu
tc
a
pa
cit
a
nc
e
C
ob
(
pF
)
1
IB = 0.5 mA
2
3
4
5
6
7
8
9
10
100
0
Common emitter
Tc = 25°C
4
8
12
16
20
24
20
40
60
80
55
25
Tc = 100°C
100
0
Common emitter
Tc = 25°C
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
20
40
60
80
55
25
Tc = 100°C
10
0.03
0.1
Common emitter
IC/IB = 5
0.3
1
3
10
30
100
0.1
0.3
1
3
25
55
Tc = 100°C
10
0.03
0.1
Common emitter
IC/IB = 5
0.3
1
3
10
30
100
0.1
0.3
1
3
30
1
Tc = 25°C
IE = 0
f = 1 MHz
3
10
30
100
3
5
10
55
25
Tc = 100°C
1000
1
0.01
Common emitter
VCE = 5 V
0.1
1
10
100
10
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5508-T2 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5508 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5570 28 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5593 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5599-T1 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5466(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SC5488A-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5488-TL-E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP NPN 70MA 10V FT=7G - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / BIP NPN 70MA 10V FT=7G
2SC5490A-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 30MA 10V FT=8G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5501A-4-TR-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*