參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5508
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 9/16頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： 2SC5508
Preliminary Data Sheet P13865EJ1V0DS00
2
2SC5508
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25 °C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0
–
200
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = 1 V, IC = 0
–
200
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 2 V, IC = 5 mA
50
70
100
–
RF Characteristics
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 2 V, IE = 0, f = 1 MHz
–
0.18
0.24
pF
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 3 V, IC = 30 mA, f = 2 GHz
20
25
–
GHz
Noise Figure
NF
VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz, ZS = Zopt
–1.1
1.5
dB
Insertion Power Gain
|S21e|2
VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
14
17
–
dB
Maximum Available Power Gain
MAG
Note 3
VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
–
19
–
Maximum Stable Power Gain
MSG
Note 4
VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
–
20
–
dB
Output Power at 1 dB
Compression Point
P-1
VCE = 2 V, IC = 20 mA
Note 5, f = 2 GHz
–11
–
dBm
Output Power at Third Order
Intercept Point
OIP3
VCE = 2 V, IC = 20 mA
Note 5, f = 2 GHz
–22
–
Notes 1. Pulse measurement PW
≤ 350
s, Duty cycle ≤ 2 %
2. Emitter to base capacitance measured using capacitance meter (self-balancing bridge method) when
the emitter is connected to the guard pin
3.
S21
MAG =
S12
k –
k2 – 1
4.
S21
MSG =
S12
5. Collector current when P-1 is output
hFE CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
T79
hFE
50 to 100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SC5600 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5601-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SC5508-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:25GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.1dB @ 2GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5508-T2-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,3.3V,35mA,S-MiniMold4 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
2SC5508-T2-A(FB) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN
2SC5509-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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