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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5591 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output) |
| 中文描述： | 20 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-94, TOP-3E-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 2SC5591 |
1
Power Transistors
2SC5591
Silicon NPN triple diffusion mesa type
For horizontal deflection output
I
Features
High breakdown voltage: 1
700 V; supporting a large screen CRT
and wider visible angle
High-speed switching: t
f
< 0.2
μ
s
Low Collector to emitter saturation voltage: V
CE(sat)
< 3 V
Wide area of safe operation (ASO)
I
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CES
V
CEO
1
700
V
Collector to emitter voltage
1
700
V
600
V
Emitter to base voltage
V
EBO
I
CP
I
C
7
V
Peak collector current
30
A
Collector current
20
11
A
Base current
I
B
P
C
A
Collector power
dissipation
T
C
=
25
°
C
T
a
=
25
°
C
70
W
3.5
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
I
Electrical Characteristics
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
1
000 V, I
E
=
0
V
CB
=
1
700 V, I
E
=
0
V
EB
=
7 V, I
C
=
0
V
CE
=
5 V, I
C
=
10 A
I
C
=
10 A, I
B
=
2.5 A
I
C
=
10 A, I
B
=
2.5 A
V
CE
=
10 V, I
C
=
0.1 A, f
=
0.5 MHz
I
C
=
10 A, Resistance loaded
I
B1
=
2.5 A, I
B2
=
5.0 A
50
μ
A
1
mA
Emitter cutoff current
I
EBO
h
FE
50
μ
A
Forward current transfer ratio
6
12
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
3
V
Base to emitter saturation voltage
1.5
V
Transition frequency
3
MHz
Storage time
t
stg
t
f
3.0
μ
s
μ
s
Fall time
0.2
1: Base
2: Collector
3: Emitter
TOP-3E Package
Internal Connection
B
C
E
Marking Symbol: C5591
15.5
±0.5
3.0
±0.3
5
(4.0)
2.0
±0.2
1.1
±0.1
5.45
±0.3
0.7
±0.1
5
5
5
5
10.9
±0.5
1
5
2
3
(
(
(
S
3
±
5
±
(
2
±
(
2
±
1
±
(
φ
3.2
±0.1
(
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PDF描述 |
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