參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5591A
廠商： Panasonic Corporation
英文描述： Horizontal Deflection Transistor Series for TV
中文描述： 水平偏轉(zhuǎn)晶體管系列電視
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大?。?/td> 162K
代理商： 2SC5591A
Parameter
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation
voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Storage time
Fall time
Diode characteristics
min
-
-
5
5
-
-
-
-
-
-
Conditions
V
CB
=1000V,I
E
=0
V
CB
=1700V,I
E
=0
I
E
=500mA,I
C
=0
V
CE
=5V,I
C
=6A
I
C
=6A,I
B
=1.2A
I
C
=6A,I
B
=1.2A
V
CE
=10V,I
C
=0.1A,f=0.5MHz
I
C
=6A,I
B1
=1.2A,I
B2
=-2.4A
I
C
=6A,I
B1
=1.2A,I
B2
=-2.4A
I
F
=6A
I
Electrical Characteristics(T
C
=25
°C
)
Collector cutoff current
Symbol
I
CBO
I
CBO
V
EBO
f
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
T
stg
T
f
V
F
typ
-
-
-
-
-
-
3
-
-
-
max
50
1
-
10
3
1.5
-
5.0
0.5
-2
Unit
μ
A
mA
V
V
V
MHz
μ
s
μ
s
V
I
Absolute Maximum Ratings
2SC5519
Horizontal Deflection Output Transistor
15.5
±
0.5
2
±
0
2
±
0
2
1
±
0
3
±
0
5
±
0
2
0
±
0
2
2
1
3.0
±
0.3
φ
3.2
±
0.1
4
5.45
±
0.3
1
2
3
5.45
±
0.3
1.1
±
0.1
2.0
±
0.2
4.0
5
°
5
°
5
°
5
°
5
°
5
°
0.7
±
0.1
TOP-3E
Unit:mm
Rating
1700
1700
5
16
*3
8
3
150
-55 to +150
50
*1
3
*2
Unit
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
Symbol
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
T
j
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
*1)TC=25°C ,*2)Ta=25°C(Without heat sink)
*3)Non-repetitive peak collector current.
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PDF描述
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2SC5548A NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE SWITCHING, DC-DC CONVERTER APPLICATIONS)
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參數(shù)描述
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2SC5606-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5606-FB-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5606-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5606-T1-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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