參數(shù)資料
型號： 2SC5599-T1
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-75
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 5.5VV（巴西）總裁| 100mA的一（c）| SC - 75等
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： 2SC5599-T1
2SC5585 / 2SC5663
Transistors
!
Packaging specifications
Package
Code
Taping
Basic ordering
unit (pieces)
hFE
2SC5663
2SC5585
T2L
8000
TL
3000
Type
!
Electrical characteristic curves
0
1
10
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
100
0.5
1.0
1.5
VCE = 2V
1000
Ta
=
1
25
°C
25
°C
-40
°C
2
5
20
50
200
500
1
2
5
10
20
50
100 200
500
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.2 DC current gain vs.
collector current
10
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
1000
20
50
100
200
500
1000
Ta = 125
°C
5
2
1
VCE = 2V
25
°C
-40
°C
1
2
5
10
20
50
100
200
IC/IB = 20
1
2
5
10
20
50
100 200
500 1000
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(mV)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
Ι )
Ta = 125
°C
500
1000
25
°C
-40
°C
1
2
5
10
20
50
100
200
Ta = 25
°C
1
2
5
10
20
50
100 200
500 1000
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(mV)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
ΙΙ )
IC/IB = 50
500
1000
20
10
20
50
100
200
500
1000
2000
IC/IB = 20
1
2
5
10
20
50
100 200
500 1000
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE(sat)
(mV)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage
vs. collector current
Ta = -40
°C
5000
10000
25
°C
125
°C
2
1
5
10
20
50 100 200
500 1000
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
Ta = 25
°C
VCE
= 2V
fT
(MH
Z
)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
Fig.6
Collector output capacitance
Emitter input capacitance
vs. base voltage
Pulsed
0.2
0.1
0.5
1
2
5
10
20
50
100
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
Ta = 25
°C
IE = 0A
f
= 1MHz
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
Cob
(pF)
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:
Cib
(pF)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB (V)
Fig.7 Collector output capacitance
vs collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs emitter-base voltage
Cib
Cob
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5600 Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC5600-T1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416VAR
2SC5602 Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC5602-T1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 35MA I(C) | SOT-416
2SC5603 Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5606-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5606-FB-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5606-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5606-T1-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5611 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*