型號(hào): | 2SC5603-T1 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 35MA I(C) | SOT-416VAR |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 6V的五(巴西)總裁| 35MA一(c)|的SOT - 416VAR |
文件頁(yè)數(shù): | 2/4頁(yè) |
文件大小: | 42K |
代理商: | 2SC5603-T1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SC5606-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
2SC5606-FB-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SC5606-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
2SC5606-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SC5611 | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |