參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5615(NE681M13)
英文描述： Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
中文描述： 離散
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 42K
代理商： 2SC5615(NE681M13)
2SC5637
No.6465–2/4
Switching Time Test Circuit
+
50
INPUT
OUTPUT
VR
RB
RL=33.3
VCC=200V
100
F
470
F
VBE=--2V
PW=20
s
D.C.
≤1%
IB1
IB2
VCE(sat) -- IC
hFE -- IC
6
7
4
5
2
3
1
10
8
9
0
1.0
10
7
2
3
5
7
2
3
5
7
5
7
3
2
0.1
1.0
7
3
2
3
5
7
5
7
8
3
4
5
6
2
1
11
9
10
0
01
2
3
4
5
6
7
8
9
10
7
0.1
1.0
10
23
5
7
23
2
5
7
1.0
10
0.1
23
5
7
3
2
25
7
0
0.2
0.4
0.6
1.0
0.8
1.2
1.4
IC -- VCE
IC -- VBE
IT01753
IT01754
IT01755
IT01756
IB=0
0.2A
0.4A
0.6A
0.8A
1.0A
1.2A
1.4A
1.6A
1.8A
2.0A
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
Ta=120°C
25°C
--40°C
Ta=--40
°C
120
°C
25
°C
VCE=5V
IC / IB=5
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –A
Continued from preceding page.
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
o
C
s
g
n
i
t
a
R
t
i
n
U
n
i
mp
y
tx
a
m
n
i
a
G
t
n
e
r
u
C
D
h E
F 1V E
C
I
,
V
5
=
C
A
1
=
0
20
3
h E
F 2V E
C
I
,
V
5
=
C
A
8
=
47
e
m
i
T
e
g
a
r
o
t
St g
t
s
IC
I
,
A
6
=
1
B
I
,
A
2
.
1
=
2
B
A
4
.
2
–
=
0
.
3s
e
m
i
T
ll
a
Ftf
IC
I
,
A
6
=
1
B
I
,
A
2
.
1
=
2
B
A
4
.
2
–
=
1
.
02
.
0s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5617(NE685M13) Discrete
2SC5617EB Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC5617EB-T3 TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-416VAR
2SC5617FB Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC5617FB-T3 TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-416VAR
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2SC562200VLA 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR
2SC562200VLK 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC563200L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC5632G0L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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