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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5617-FB-A |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | 2SC5617-FB-A |
Data Sheet D15068EJ3V0DS
2
2SK3483
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS = 100 V, VGS = 0 V
10
μA
Gate Leakage Current
IGSS
VGS = ±20 V, VDS = 0 V
±10
μA
Gate Cut-off Voltage
VGS(off)
VDS = 10 V, ID = 1 mA
1.5
2.0
2.5
V
Forward Transfer Admittance
Note
| yfs |
VDS = 10 V, ID = 14 A
9.0
18
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
RDS(on)1
VGS = 10 V, ID = 14 A
41
52
m
Ω
RDS(on)2
VGS = 4.5 V, ID = 14 A
45
59
m
Ω
Input Capacitance
Ciss
VDS = 10 V
2300
pF
Output Capacitance
Coss
VGS = 0 V
230
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
f = 1 MHz
120
pF
Turn-on Delay Time
td(on)
VDD = 50 V, ID = 14 A
12
ns
Rise Time
tr
VGS = 10 V
9
ns
Turn-off Delay Time
td(off)
RG = 0
Ω
53
ns
Fall Time
tf
5
ns
Total Gate Charge
QG
VDD = 80 V
49
nC
Gate to Source Charge
QGS
VGS = 10 V
7
nC
Gate to Drain Charge
QGD
ID = 28 A
13
nC
Body Diode Forward Voltage
Note
VF(S-D)
IF = 28 A, VGS = 0 V
1.0
V
Reverse Recovery Time
trr
IF = 28 A, VGS = 0 V
73
ns
Reverse Recovery Charge
Qrr
di/dt = 100 A/
μs
175
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
VGS = 20
→ 0 V
PG.
RG = 25
Ω
50
Ω
D.U.T.
L
VDD
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
PG.
D.U.T.
RL
VDD
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
RG
PG.
IG = 2 mA
50
Ω
D.U.T.
RL
VDD
ID
VDD
IAS
VDS
BVDSS
Starting Tch
VGS
0
τ = 1 s
Duty Cycle
≤ 1%
τ
VGS
Wave Form
VDS
Wave Form
VGS
VDS
10%
0
90%
VGS
VDS
ton
toff
td(on)
tr
td(off)
tf
10%
μ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5617-T3-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617-T3-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617-EB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617-T3EB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC562 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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| 2SC5632G0L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
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