參數(shù)資料
型號： 2SC5622
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)
中文描述： 6 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TOP3E, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： 2SC5622
1
Power Transistors
2SC5622
Silicon NPN triple diffusion mesa type
For horizontal deflection output
I
Features
High breakdown voltage: 1
500 V
High-speed switching
Wide area of safe operation (ASO)
I
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
1
500
V
Collector to emitter voltage
V
CES
V
EBO
I
CP
1
500
V
Emitter to base voltage
7
V
Peak collector current
12
A
Collector current
I
C
I
B
P
C
6
3
A
Base current
A
Collector power
dissipation
T
C
=
25
°
C
T
a
=
25
°
C
40
W
3
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
I
Electrical Characteristics
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
1
000 V, I
E
=
0
V
CB
=
1
500 V, I
E
=
0
I
E
=
500 mA, I
C
=
0
V
CE
=
5 V, I
C
=
4 A
I
C
=
4 A, I
B
=
0.8 A
I
C
=
4 A, I
B
=
0.8 A
V
CE
=
10 V, I
C
=
0.1 A, f
=
0.5 MHz
I
F
=
4 A
I
C
=
4 A, Resistance loaded
I
B1
=
0.8 A, I
B2
=
1.6 A
50
μ
A
1
mA
Emitter to base voltage
V
EBO
h
FE
7
V
Forward current transfer ratio
5
9
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
5
V
Base to emitter saturation voltage
1.5
V
Transition frequency
3
MHz
Diode forward voltage
V
F
t
stg
t
f
2
V
Storage time
5.0
μ
s
μ
s
Fall time
0.5
1: Base
2: Collector
3: Emitter
TOP-3E Package
Internal Connection
Marking Symbol: C5622
15.5
±0.5
3.0
±0.3
5
(4.0)
2.0
±0.2
1.1
±0.1
5.45
±0.3
0.7
±0.1
5
5
5
5
10.9
±0.5
1
5
2
3
(
(
(
S
3
±
5
±
(
2
±
(
2
±
1
±
(
φ
3.2
±0.1
(
B
C
E
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