參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5632G
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 50 mA, 8 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F2, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 280K
代理商： 2SC5632G
Transistors
1
Publication date: June 2007
SJC00369AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SC5632G
Silicon NPN epitaxial planar type
For high-frequency amplification and switching
■ Features
High transition frequency f
T
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC
= 100 A, I
E
= 015
V
Emitter-base cutoff current (Collector open)
IEBO
VEB = 2 V, IC = 02
A
Forward current transfer ratio
hFE
VCE = 4 V, IC = 2 mA
100
350
hFE ratio *
h
FE
hFE2: VCE
= 4 V, I
C
= 100 A
0.6
1.5
hFE1: VCE = 4 V, IC = 2 mA
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 20 mA, IB = 4 mA
0.1
V
Transition frequency
fT
VCE
= 5 V, I
C
= 15 mA, f = 200 MHz
0.6
1.1
GHz
Collector output capacitance
Cob
VCB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
1.0
1.6
pF
(Common base, input open circuited)
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
8V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
3V
Collector current
IC
50
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *:
h
FE = hFE2 / hFE1
■ Package
Code
SMini3-F2
Marking Symbol: 2R
Pin Name
1: Base
2: Emitter
3: Collector
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
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information.
http://panasonic.net/sc/en
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5646 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5652-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5652-T1 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5652-T1FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5653-T1EB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5632G0L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC5646A-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 30MA 4V FT=10G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC565400L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5654G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5658 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:150 MA, 50 V, NPN, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VMT3, 3 PIN
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