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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5646 |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SSFP, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | 2SC5646 |
2SC5646
No.6606-2/6
0
2
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
-
mA
IT02260
IT02262
IT02254
IT02261
IT02253
IT02263
4
6
8
10
1
3
2
4
5
0
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
-
mA
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
20
30
10
Collector Current, IC -- mA
hFE -- IC
DC
Current
Gain,
h
FE
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
35
7
10
100
2
3
5
1000
7
2
3
5
7
1.0
Collector Current, IC -- mA
f T -- IC
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
GHz
23
5
7
10
23
5
7
100
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
100
10
0.1
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Cob -- VCB
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
10
2
3
5
7
1.0
0.1
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Cre -- VCB
Re
v
erse
T
ransfer
Capacitance,
Cre
-
pF
2
3
57
2
3
57
1.0
10
0.1
2
3
5
7
1.0
IB=0
0.05mA
0.04mA
0.03mA
0.02mA
0.01mA
V
CE
=3V
1V
VCE=3V
1V
VCE=3V
1V
f=1MHz
IT02256
IT02257
S21e2 -- IC
1.0
Collector Current, IC -- mA
S21e2 -- IC
F
orw
ard
T
ransfer
Gain,
S21e
2
-
dB
2
3
5
7
2
3
5
7
10
100
0
2
4
6
8
18
16
14
12
10
1.0
Collector Current, IC -- mA
F
orw
ard
T
ransfer
Gain,
S21e
2
-
dB
10
23
5
7
23
5
7
100
0
2
4
6
8
10
12
14
18
16
f=1GHz
VCE
=3V
1V
VCE=3V
1V
f=2GHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5652-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5652-T1 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5652-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5653-T1EB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5653 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5646A-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 30MA 4V FT=10G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC565400L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5654G0L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5658 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:150 MA, 50 V, NPN, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VMT3, 3 PIN |
| 2SC5658GT2LR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTER 2SC5658GT2LR |
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