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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5652-T1FB |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 96K |
| 代理商： | 2SC5652-T1FB |
Data Sheet P15245EJ1V0DS
2
2SC5652
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
–
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VBE = 1 V, IC = 0 mA
–
100
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 3 V, IC = 10 mA
75
–
140
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
10.0
12.0
–
GHz
Insertion Power Gain
S21e2 VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
7.0
8.5
–
dB
Noise Figure
NF
VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
–1.5
2.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 3 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
–
0.4
0.7
pF
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance measured using capacitance meter (self-balancing bridge method) when
the emitter is connected to the guard pin
hFE CLASSIFICATION
Rank
EB
FB
Marking
E
hFE Value
75 to 110
95 to 140
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5653-T1EB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5653 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5653-EB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5655-T1 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5655-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC565400L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5654G0L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5658 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:150 MA, 50 V, NPN, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VMT3, 3 PIN |
| 2SC5658GT2LR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTER 2SC5658GT2LR |
| 2SC5658M3T5G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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