參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5658M3T5G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor(通用型硅NPN放大器晶體管)
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, CASE 631AA-01, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： 2SC5658M3T5G
2SC5658M3T5G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Collector-Base Breakdown Voltage (I
C
= 50 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
50
Vdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage (I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
50
Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage (I
E
= 50 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)EBO
5.0
Vdc
Collector-Base Cutoff Current (V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
0.5
A
Emitter-Base Cutoff Current (V
EB
= 4.0 Vdc, I
B
= 0)
I
EBO
0.5
A
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 2)
(I
C
= 60 mAdc, I
B
= 5.0 mAdc)
V
CE(sat)
0.4
Vdc
DC Current Gain (Note 2)
(V
CE
= 6.0 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc)
h
FE
120
560
Transition Frequency (V
CE
= 12 Vdc, I
C
= 2.0 mAdc, f = 30 MHz)
f
T
180
MHz
Output Capacitance (V
CB
= 12 Vdc, I
C
= 0 Adc, f = 1.0 MHz)
2. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s, D.C.
≤
2%.
C
OB
2.0
pF
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2SC5658T2LR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5658T2LS 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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