參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5658T2L
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: VMT3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 171K
代理商: 2SC5658T2L
2/3
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.04 - Rev.B
Data Sheet
2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658 / 2SC1740S
Packaging specifications and hFE
Package
Code
Taping
Basic ordering
unit (pieces)
T146
T106
3000
QRS
hFE
QRS
2SC2412K
2SC4081
TL
3000
T2L
8000
QRS
2SC4617
TP
5000
QRS
2SC5658
QRS
2SC1740S
Type
hFE values are classified as follows :
Item
Q
R
S
hFE
120 to 270
180 to 390
270 to 560
Electrical characterristic curves
Fig.1
Grounded emitter propagation
characteristics
0
0.1
0.2
0.5
2
20
50
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
5
10
Ta
=
100
°C
VCE
=6V
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
25
°C
55
°C
Fig.2
Grounded emitter output
characteristics (
Ι )
0
20
40
60
80
100
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
0.05mA
0.10mA
0.15mA
0.25mA
0.30mA
0.35mA
0.20mA
Ta=25
°C
IB=0A
0.40mA
0.50mA
0.45mA
0
2
8
10
4
8
12
16
4
6
20
IB=0A
Ta=25
°C
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
3
A
6
A
9
A
12
A
15
A
18
A
21
A
24
A
27
A
30
A
Fig.3
Grounded emitter output
characteristics (
ΙΙ )
0.2
20
10
0.5 1
2
5
10 20
50 100 200
50
100
200
500
VCE=5V
3V
1V
Ta=25
°C
Fig.4 DC current gain vs.
collector current (
Ι )
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
0.2
0.5 1
2
5
10 20
50 100 200
20
10
50
100
200
500
25
°C
55°C
Ta=100
°C
VCE=
5V
Fig.5 DC current gain vs.
collector current (
ΙΙ )
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig. 6 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
0.2
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V
)
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
IC/IB=50
20
10
Ta=25
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5568 8 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC2223F13-T1B VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N6849PBF 6.5 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
2SC4773T107Q UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4773T107R UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5658T2LQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5658T2LR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5658T2LS 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5659T2LN 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5659T2LP 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2