參數資料
型號: 2SC5702
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: MODIFIED SC-89, MFPAK-3
文件頁數: 8/15頁
文件大?。?/td> 271K
代理商: 2SC5702
2SC5702
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 14
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Collector to base breakdown voltage
V(BR)CBO
15
18.5
V
IC = 10
A, IE = 0
Collector cutoff current
ICBO
1
A
VCB = 10 V, IE = 0
Collector cutoff current
ICEO
1
mA
VCE = 4 V, RBE =
Emitter cutoff current
IEBO
10
mA
VEB = 1.5V, IC = 0
DC current transfer ratio
hFE
80
120
160
VCE = 1 V, IC = 5 mA
Collector output capacitance
Cob
0.85
1.2
pF
VCB = 1 V, IE = 0
f = 1 MHz
Gain bandwidth product
fT
6.5
8.0
GHz
VCE = 1 V, IC = 5 mA
f = 1 MHz
Power gain
PG
11
13
dB
VCE = 1 V, IC = 5 mA
f = 900 MHz
Noise figure
NF
1.05
1.9
dB
VCE = 1 V, IC = 5 mA
f = 900 MHz
相關PDF資料
PDF描述
2SC5702 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5702ZS-TL-E UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5706-TL 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5706-TL 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5706TP 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
2SC5703(TE85L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SC5706-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2