參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5706TP-FA
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 40K
代理商： 2SC5706TP-FA
2SA2039 / 2SC5706
No.6912-2/5
Specifications
Note*( ) : 2SA2039
Absolute Maximum Ratings at Ta=25
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector-to-Base Voltage
VCBO
(--50)80
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCES
(--50)80
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCEO
(--)50
V
Emitter-to-Base Voltage
VEBO
(--)6
V
Collector Current
IC
(--)5
A
Collector Current (Pulse)
ICP
(--)7.5
A
Base Current
IB
(--)1.2
A
Collector Dissipation
PC
0.8
W
Tc=25
°C15
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
--55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)40V, IE=0
(--)1
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0
(--)1
A
DC Current Gain
hFE
VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
200
560
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
(360)400
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(24)15
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
(--115)90
(--195)135
mV
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
(--255)160
(--430)240
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
(--)0.89
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0
(--50)80
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=(--)100A, RBE=0
(--50)80
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0
(--)6
V
Turn-On Time
ton
See specified test circuit.
(30)35
ns
Storage Time
tstg
See specified test circuit.
(230)300
ns
Fall Time
tf
See specified test circuit.
(15)20
ns
Swicthing Time Test Circuit
VR10
25
VCC=25V
VBE= --5V
10IB1= --10IB2= IC=1A
+
50
INPUT
OUTPUT
RB
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
IB2
D.C.
≤1%
For PNP, the polarity is reversed.
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PDF描述
2SA2039TP 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5710TP 9000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5710TP-FA 9000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5712 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5741-FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SC5707-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SC5712(TE12L,F) 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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