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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5706TP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | 2SC5706TP |
2SA2039 / 2SC5706
No.6912-4/5
f T -- IC
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
Collector Current, IC -- A
7
3
100
10
2
5
1000
7
5
3
2
--0.01
25 7
7
3
--0.1
25
32
5
3
--1.0
--10
57
IT00166
2SA2039
VCE= --10V
f T -- IC
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
Collector Current, IC -- A
7
3
100
10
2
5
1000
7
5
3
2
0.01
25 7
7
3
0.1
25
32
5
3
1.0
10
5
IT00167
2SC5706
VCE=10V
Cob -- VCB
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
100
10
0.1
23
3
77
3
7
75
5
1.0
2
10
2
5
100
5
IT00165
2SC5706
f=1MHz
Cob -- VCB
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
100
10
--0.1
23
7
5
7
52
3
7
52
3
7
5
--1.0
--10
--100
IT00164
2SA2039
f=1MHz
0.01
0.1
23
5 7
23
5 7
2
3
5 7
1.0
10
10000
1000
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
100
10
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
IT02979
Ta=75
°C
--25
°C
2SC5706
IC / IB=50
10
1.0
0.1
0.01
0.1
1.0
10
Ta= --25
°C
25
°C
75°C
7
5
3
2
7
5
3
2
23
5 7
2
3
5
7
2
3
5
7
2SC5706
IC / IB=50
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
IT00163
VBE(sat) -- IC
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
--10
--1.0
--0.1
--0.01
--0.1
--1.0
--10
Ta= --25°C
25
°C
75°C
7
5
3
2
7
5
3
2
23
5 7
2
3
5
7
2
3
5
7
2SA2039
IC / IB=50
IT00162
--10000
--1000
2
3
5
7
2
3
5
7
--100
2
3
5
7
--10
--0.01
--0.1
23
5 7
2
3
5 7
2
3
5 7
--1.0
--10
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Ta=75
°C
25°
C
--25
°C
IT02977
2SA2039
IC / IB=50
25
°C
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5706TP | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5706TP-FA | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2039TP | 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5710TP | 9000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5710TP-FA | 9000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SC5707-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5707-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5712(TE12L,F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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