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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5706TP |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | 2SC5706TP |
2SA2039 / 2SC5706
No.6912-3/5
--10000
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2
3
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5 7
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--1.0
--10
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Ta=75
°C
--25
°C
IT02976
2SA2039
IC / IB=20
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5 7 0.1
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7
5
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1000
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
IT02978
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
2SC5706
IC / IB=20
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
1000
100
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DC
Current
Gain,
h
FE
2SA2039
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IT00156
1000
100
7
5
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7
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10
0.01
3
25
10
0.1
73
25
7
3
25
7
1.0
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Ta=75
°C
--25
°C
25
°C
2SC5706
VCE=2V
IT00157
25
°C
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IT02975
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3.0
2.5
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1.0
0.5
0
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0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
2SC5706
VCE=2V
25
°C
--25
°C
IT00155
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SA2039
VCE= --2V
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.0
--0.5
--1.5
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.4
--1.0
--1.2
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IT00154
0
--1
--2
--3
--4
--5
0
--0.4
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
--10mA
--5mA
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IB=0
IT02974
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1.4
5mA
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100mA
2SA2039
2SC5706
--90mA
T
a=75
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5706TP-FA | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2039TP | 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5710TP | 9000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5710TP-FA | 9000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5712 | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5706-T-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252VAR, LEAD FREE |
| 2SC5707 | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:BIPOL TRANSISTOR NPN 50V I-PAK 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:50V 8A 15W Bcec Sanyo Transistor Tp 3-Pin |
| 2SC5707-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5707-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5712(TE12L,F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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