參數(shù)資料
型號： 2SC5716
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： MINIATURE PC BOARD RELAY
中文描述： 東芝晶體硅npn型三重擴散梅薩類型
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 137K
代理商： 2SC5716
2SC5716
2001-11-27
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type
2SC5716
Horizontal Deflection Output for High Resolution Display,
Color TV
High voltage: V
CBO
= 1700 V
High speed: t
f
(2) = 0.2 μs (typ.)
Collector metal (fin) is fully covered with mold resin.
Maximum Ratings
(Tc 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
1700
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
700
V
Emitter-base voltage
V
EBO
5
V
DC
I
C
8
Collector current
Pulse
I
CP
16
A
Base current
I
B
4
A
Collector power dissipation
P
C
55
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55~150
°C
Equivalent Circuit
Electrical Characteristics
(Tc 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
1700 V, I
E
0
1
mA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
5 V, I
C
0
83
250
mA
Emitter-base breakdown voltage
V
(BR) EBO
I
E
400 mA, I
B
0
5
V
h
FE
(1)
V
CE
5 V, I
C
1 A
6
20
DC current gain
h
FE
(2)
V
CE
5 V, I
C
6 A
3.8
9
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
6 A, I
B
1.5 A
5
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE (sat)
I
C
6 A, I
B
1.5 A
0.9
1.2
V
Forward voltage (damper diode)
V
F
I
F
6 A
1.3
1.8
V
Transition frequency
f
T
V
CE
10 V, I
C
0.1 A
2
MHz
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
10 V, I
E
0, f 1 MHz
180
pF
Storage time
t
stg
(1)
6
8
Fall time
t
f
(1)
I
CP
6 A, I
B1 (end)
1.2 A,
f
H
15.75 kHz
0.3
0.6
Storage time
t
stg
(2)
3.5
5
Switching time
Fall time
t
f
(2)
I
CP
5.5 A, I
B1
(end)
1.1 A,
f
H
31.5 kHz
0.2
0.35
s
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-16E3A
Weight: 5.5 g (typ.)
1. Base
40 (typ.)
3. Emitter
2. Collector
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5717 Horizontal Deflection Output for Super High Resolution Display, Color TV, Digital TV. High Speed Switching Applications.
2SC5720 MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS STOROBO FLASH APPLICATIONS
2SC5725 Silicon NPN epitaxial planar type
2SC5738 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications
2SC5739 Silicon NPN epitaxial planar type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5720(TPE4,F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape
2SC57250SL 功能描述:TRAN NPN HF 15VCEO 2.0A MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5729T106Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5729T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5730KT146Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*