參數(shù)資料
型號： 2SC5745-T1
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416VAR
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 5.5VV（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 416VAR
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： 2SC5745-T1
NE662M16
Collector to Base Voltage, VCB (V)
Reverse
Transfer
Capacitance,
C
re
(pF)
f = 1 MHz
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
02
468
10
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)
Base to Emitter Voltage, VBE (V)
Collector
Current,
Ic
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
VCE = 2 V
35
25
30
10
5
20
15
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
40
25
20
15
35
30
10
5
01
2
3
4
IB = 50
A
450
A
400
A
350
A
300
A
250
A
200
A
150
A
100
A
500 A
1 000
100
10
1
0.1
10
100
VCE = 2 V
f = 2 GHz
30
25
20
15
10
5
0
10
1
100
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
300
250
115
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
Mounted on Glass Epoxy Board
(1.08 cm
2 × 1.0 mm (t) )
Ambient Temperature, TA (°C)
Total
Power
Dissipation,
P
tot
(mW)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector
Current,
Ic
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Collector Current, lC (mA)
DC
Current
Gain,
h
FE
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Collector Current, IC (mA)
Gain
Bandwdth,
f
T
(GHz)
GAIN BANDWIDTH vs.
COLLECTOR CURRENT
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PDF描述
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