參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5746-FB
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù): 16/22頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商: 2SC5746-FB
Data Sheet PU10007EJ02V0DS
3
2SC5746
TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, TA = +25
°°°°C)
VCE = 1 V
100
10
1
0.01
0.001
0.1
0.0001
0.7
0.5
0.6
0.4
0.8
0.9
1.0
Collector
Current
I
C
(mA)
Base to Emitter Voltage VBE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
VCE = 2 V
100
10
1
0.01
0.001
0.1
0.0001
0.7
0.5
0.6
0.4
0.8
0.9
1.0
Collector
Current
I
C
(mA)
Base to Emitter Voltage VBE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
300
250
200
150
140
100
50
0
25
50
75
100
125
150
Total
Power
Dissipation
P
tot
(mW)
Ambient Temperature TA (C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
Mounted on Glass Epoxy PCB
(1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) )
f = 1 MHz
Reverse
Transfer
Capacitance
C
re
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
468
10
Collector
Current
I
C
(mA)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
80
30
20
40
50
70
60
10
0
1
2
345
6
7
IB = 50 A
200 A
250 A
300 A
350 A
400 A
450 A
500 A
100 A
150 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5746-T3FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5746-FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5746-T3FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5746-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5748 16 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SC5750-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):6V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.7dB @ 2GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):75 @ 20mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A,SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
2SC5750-T1-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5751-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):6V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.7dB @ 2GHz 增益:16dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):75 @ 20mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1