參數(shù)資料
型號： 2SC5746-FB
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 19/22頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： 2SC5746-FB
Data Sheet PU10007EJ02V0DS
6
2SC5746
VCE = 1 V
f = 1 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
20
16
8
4
12
0
1
10
100
MAG
MSG
|S21e|
2
VCE = 2 V
f = 4 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
12
8
0
–4
4
–8
1
10
100
MAG
MSG
|S21e|
2
VCE = 1 V
f = 2 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
16
12
4
0
8
–4
1
10
100
MAG
|S21e|
2
VCE = 1 V
f = 4 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
12
8
0
–4
4
–8
1
10
100
MAG
|S21e|
2
VCE = 2 V
f = 1 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
20
16
8
4
12
0
1
10
100
MAG
MSG
|S21e|
2
VCE = 2 V
f = 2 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
16
12
4
0
8
–4
1
10
100
MAG
|S21e|
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PDF描述
2SC5748 16 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5750-T1FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5750-FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5751-T2FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SC5750-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標準包裝:3,000
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2SC5751-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:16dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標準包裝:1
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