參數(shù)資料
型號： 2SC5748
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 16 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： 2-21F2A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 165K
代理商： 2SC5748
2SC5748
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type
2SC5748
Horizontal Deflection Output for HDTV and Digital TV.
High voltage: VCBO = 2000 V
Low saturation voltage: VCE (sat) = 3 V (max)
High speed: tf = 0.15 s (typ.)
Maximum Ratings (Tc
= 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
2000
V
Collector-emitter voltage
VCEO
900
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
DC
IC
16
Collector current
Pulse
ICP
32
A
Base current
IB
8
A
Collector power dissipation
PC
210
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55~150
°C
Electrical Characteristics (Tc
= 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 2000 V, IE = 0
1
mA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
100
A
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
900
V
hFE (1)
VCE = 5 V, IC = 2 A
20
55
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 8 A
7
12.5
DC current gain
hFE (3)
VCE = 5 V, IC = 12 A
4.8
7.5
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 12 A, IB = 3 A
3
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 12 A, IB = 3 A
1.3
V
Transition frequency
fT
VCE = 10 V, IC = 0.1 A
2
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
310
pF
Storage time
tstg
4.0
5.0
Switching time
Fall time
tf
ICP = 8 A, IB1 (end) = 1.2 A,
fH = 32 kHz
0.15
0.35
s
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-21F2A
Weight: 9.75 g (typ.)
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PDF描述
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