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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5750-FB-A |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SUPERMINI-4 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | 2SC5750-FB-A |
Data Sheet P15656EJ1V0DS
2
2SC5750
THERMAL RESISTANCE
Parameter
Symbol
Value
Unit
Junction to Ambient Resistance
Rth j-a
Note
610
°C/W
Note Mounted on 1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) glass epoxy PCB
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VBE = 1 V, IC = 0 mA
100
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 3 V, IC = 20 mA
75
120
150
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
15.0
GHz
Insertion Power Gain
S21e2 VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
10.0
13.0
dB
Noise Figure
NF
VCE = 3 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
1.7
2.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 3 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
0.26
0.5
pF
Maximum Available Power Gain
MAG
Note 3
VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
15.0
dB
Linear Gain
GL
VCE = 2.8 V, ICq = 8 mA, f = 1.8 GHz,
Pin =
10 dBm
14.5
dB
Gain 1 dB Compression Output Power
PO (1 dB)
VCE = 2.8 V, ICq = 8 mA, f = 1.8 GHz,
Pin = 1 dBm
15.0
dBm
Collector Efficiency
ηC
VCE = 2.8 V, ICq = 8 mA, f = 1.8 GHz,
Pin = 1 dBm
50
%
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance when the emitter grounded
3. MAG =
hFE CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
R54
hFE Value
75 to 150
(K –
√√√√ (K2 – 1) )
S21
S12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5751-T2FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751-T2FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751-T2 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5750-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 2SC5750-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5751-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:16dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SC5751-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5751-T2-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape |
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