參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5751-T2
英文描述： Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 6V的五（巴西）總裁| 50mA的一（c）|的SOT - 343VAR
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 63K
代理商： 2SC5751-T2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)
NE662M16
Input Power, Pin (dBm)
Output
Power,
P
out
(dBm)
Output
Power,
P
out
(dBm)
OUTPUT POWER, COLLECTOR
CURRENT vs. INPUT POWER
OUTPUT POWER, COLLECTOR
CURRENT vs. INPUT POWER
VCE = 2 V
f = 1 GHz
30
25
5
10
15
20
0
110
100
MSG
|S21e|
2
VCE = 2 V, f = 1 GHz
Icq = 20 mA (RF OFF)
30
20
10
0
-10
50
40
20
30
10
-25
-15
5
Pout
IC
VCE = 2 V, f = 2 GHz
Icq = 20 mA (RF OFF)
30
20
10
0
-10
50
40
20
30
10
-25
-15
5
Pout
IC
VCE = 1 V
IC = 20 mA
35
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
VCE = 2 V
IC = 20 mA
35
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
VCE = 2 V
f = 2 GHz
30
25
5
10
15
20
0
110
100
MAG
MSG
|S21e|
2
Collector Current, IC (mA)
Insertion
Power
Gain,
IS
21e
I2
(dB)
Maximum
Available
Gain,
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Gain,
MSG
(dB)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
Collector Current, IC (mA)
Insertion
Power
Gain,
IS
21e
I2
(dB)
Maximum
Available
Gain,
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Gain,
MSG
(dB)
INSERTION POWER GAIN, MAG,
MSG vs. COLLECTOR CURRENT
Frequency, f (GHz)
Insertion
Power
Gain,
IS
21e
I2
INSERTION POWER GAIN
vs. FREQUENCY
Frequency, f (GHz)
Insertion
Power
Gain,
IS
21e
I2
INSERTION POWER GAIN
vs. FREQUENCY
Collector
Current,
I
c(mA)
Collector
Current,
I
c(mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5752 TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
2SC5752(NE67818) Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC5752-T1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
2SC5753 Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC5753(NE678M04) Discrete
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參數(shù)描述
2SC5751-T2-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape
2SC5752-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5752-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
2SC5753-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13.5dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5753-T2-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape
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