參數(shù)資料
型號: 2SC5752-T1
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 6V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|的TSOP
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代理商: 2SC5752-T1
NE662M16
Collector to Base Voltage, VCB (V)
Reverse
Transfer
Capacitance,
C
re
(pF)
f = 1 MHz
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
02
468
10
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)
Base to Emitter Voltage, VBE (V)
Collector
Current,
Ic
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
VCE = 2 V
35
25
30
10
5
20
15
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
40
25
20
15
35
30
10
5
01
2
3
4
IB = 50
A
450
A
400
A
350
A
300
A
250
A
200
A
150
A
100
A
500 A
1 000
100
10
1
0.1
10
100
VCE = 2 V
f = 2 GHz
30
25
20
15
10
5
0
10
1
100
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
300
250
115
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
Mounted on Glass Epoxy Board
(1.08 cm
2 × 1.0 mm (t) )
Ambient Temperature, TA (°C)
Total
Power
Dissipation,
P
tot
(mW)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector
Current,
Ic
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Collector Current, lC (mA)
DC
Current
Gain,
h
FE
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Collector Current, IC (mA)
Gain
Bandwdth,
f
T
(GHz)
GAIN BANDWIDTH vs.
COLLECTOR CURRENT
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC5753-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.7dB @ 2GHz 增益:13.5dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):75 @ 30mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:- 標準包裝:1
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2SC5754-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):5V 頻率 - 躍遷:20GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:12dB 功率 - 最大值:735mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 100mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:- 標準包裝:1