參數(shù)資料
型號： 2SC5850
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial
中文描述： npn型硅外延
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 85K
代理商： 2SC5850
2SC5850
Rev.0, Feb. 2002, page 2 of 6
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
E
P
C
*
Tj
50
V
Collector to emitter voltage
40
V
Emitter to base voltage
5
V
Collector current
100
mA
Emitter current
–100
mA
Collector power dissipation
150
mW
Junction temperature
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +125
°C
*Value on the glass epoxy board (10 mm x 10 mm x 0.7 mm)
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
50
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
40
V
I
C
= 1 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
V
CE(sat)
100
0.5
μ
A
μ
A
V
V
CB
= 30 V, I
E
= 0
V
EB
= 2 V, I
C
= 0
V
CE
= 12 V, I
C
= 2 mA
I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA
Emitter cutoff current
0.5
DC current transfer ratio
1
500
Collector to emitter saturation
voltage
0.2
Base to emitter voltage
V
BE
0.75
V
V
CE
= 12 V, I
C
= 2 mA
Notes: 1. The 2SC5850 is grouped by h
FE
as follows.
Grade
B
C
D
Mark
LB
LC
LD
h
FE
100 to 200
160 to 320
250 to 500
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PDF描述
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