參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5876T106
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： UMT3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 928K
代理商： 2SC5876T106
1/3
www.rohm.com
○
c
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2011.03 - Rev.B
Medium power transistor (60V, 0.5A)
2SC5876
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) High speed switching. (Tf : Typ. : 80ns at IC = 500mA)
2) Low saturation voltage, typically
(Typ. : 150mV at IC = 100mA, IB = 10mA)
3) Strong discharge power for inductive load and
capacitance load.
4) Complements the 2SA2088
Applications
Small signal low frequency amplifier
High speed switching
Structure
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Packaging specifications
Taping
2SC5876
Type
T106
3000
Package
Basic ordering unit
(pieces)
Code
Absolute maximum ratings (Ta=25
C)
Parameter
V
A
mW
1 Pw=10ms
2 Each terminal mounted on a recommended land.
2
1
°C
A
°C
VCBO
VCEO
IC
PC
Tj
VEBO
ICP
Tstg
Symbol
60
6
0.5
1.0
200
150
55 to +150
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : VS
UMT3
1.25
2.1
0.3
0.15
0.1Min.
( 3
)
0.9
0.7
0.2
0.65
( 2
)
2.0
1.3
( 1
)
0.65
(1)Emitter
(2)Base
(3)Collector
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC5876T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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