參數資料
型號： 2SC5945TR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS PACKAGE-7
文件頁數： 12/36頁
文件大?。?/td> 297K
代理商： 2SC5945TR
2SC5945
Rev.1.00, Oct.28.2004, page 2 of 35
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
DC current transfer ratio
hFE
110
150
190
VCE = 3 V, IC = 100 mA
Reverse Transfer Capacitance
Cre
1.0
pF
VCB = 2 V, IE = 0, f = 1 MHz
emitter grounded
Transition Frequency
fT
15.5
GHz
VCE = 3 V, IC = 100 mA
f = 1 GHz
Maximum Available Gain
MAG
9
dB
VCE = 3 V, IC = 100 mA,
f = 2.4 GHz,
Power Gain
PG
4
6
dB
Added Power Efficiency
PAE
30
40
%
VCE = 3.3 V, ICq = 100 mA,
f = 2.4 GHz, Pin= +20 dBm
1dB Compression Point at output
P1dB
+24
dBm
VCE = 3.3 V, ICq = 100 mA,
f = 2.4 GHz
1dB Compression Point at output
P1dB
+26
dBm
VCE = 3.3 V, ICq = 250 mA,
f = 2.4 GHz
Main Characteristics
500
400
300
200
100
12
3
4
5
0
Collector to Emitter Voltage
VCE (V)
Collector
Current
I
C
(mA)
Typical Output Characteristics
IB = 0.5 mA
0
50
100
150
200
Collector
Power
Dissipation
Pc
*
(W)
Collector Power Dissipation Curve
Ambient Temperature
Ta (°C)
1.5
1.0
0.5
*(40 x 40 x 1mm)
Value on PCB
1.5 mA
2.5 mA
3.5 mA
1.0 mA
2.0 mA
3.0 mA
4.0 mA
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PDF描述
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2SC5948-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5948-R(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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