參數(shù)資料
型號: 2SC5947
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: SMP-FD, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 31K
代理商: 2SC5947
2SC5947
No.7787-2/4
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
hFE1VCE=5V, IC=0.8A
20
50
DC Current Gain
hFE2VCE=5V, IC=4A
10
hFE3VCE=5V, IC=1mA
10
Collectoe-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=4A, IB=0.8A
0.8
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=4A, IB=0.8A
1.5
V
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=0.8A
17
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
80
pF
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=1mA, IE=0
700
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=5mA, RBE=∞
400
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=1mA, IC=0
8
V
Turn-On Time
ton
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A, RL=40, VCC=200V
0.5
s
Storage Time
tstg
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A, RL=40, VCC=200V
2.5
s
Fall Time
tf
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A, RL=40, VCC=200V
0.25
s
Switching Time Test Circuit
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
2
3
7
5
100
10
2
3
7
5
1.0
0.1
23
7
5
1.0
0.01
23
7
52
3
7
5
10
VCE=5V
IT03053
IT03054
hFE -- IC
IT03055
0
2
4
6
8
10
24
6
8
10
--40
°C
25
°C
T
a=120
°C
--40°C
25
°C
Ta=120°C
VCE=5V
IB=0
100mA
200mA
300mA
400mA
500mA
600mA
700mA
800mA
900mA
1000mA
1.0
0.1
2
3
7
5
2
3
7
5
0.01
0.1
23
7
5
1.0
0.01
23
7
52
3
7
5
10
VCE(sat) -- IC
IT03056
--40°C
25
°C
Ta=120
°C
IC / IB=5
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5957-M 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SC5957 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SC5960-N 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5960 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5980-TL 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5948-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5948-R(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-R(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC59540Q 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 3A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR