參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5957-N
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 29K
代理商： 2SC5957-N
2SC5957
No.7613-2/4
02468
10
13579
IC -- VCE
IT05069
0
2
4
6
8
10
1
3
5
7
9
IB=0
700mA
600mA
500mA
400mA
300mA
200mA
100mA
800mA
1000mA
900mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter ON-State Voltage, VBE(on) -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
1
3
4
5
6
8
7
IC -- VBE(on)
IT05153
VCE=5V
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
5
10
2
3
5
7
100
0.01
23
5
7 0.1
23
5
7 1.0
23
5
7 10
hFE -- IC
IT05155
VCE=5V
Ta=120°C
25°C
--40°
C
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
IT05156
0.01
23
5
7 0.1
23
5
7 1.0
23
5
7 10
2
0.01
0.1
2
3
5
7
1.0
3
5
7
VCE(sat) -- IC
IC / IB=5
Ta= --40°C
Ta=120
°C
120
°C
--40
°C
25
°C
25
°C
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
hFE1VCE=5V, IC=1.2A
20*
50*
DC Current Gain
hFE2VCE=5V, IC=6A
10
hFE3VCE=5V, IC=1mA
10
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=1.2A
15
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
80
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=6A, IB=1.2A
0.8
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=6A, IB=1.2A
1.5
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=1mA, IE=0
500
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=5mA, RBE=∞
400
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=1mA, IC=0
7
V
Turn-ON Time
ton
IC=7A, IB1=1.4A, IB2=--2.8A, RL=28.6, VCC=200V
0.5
s
Storage Time
tstg
IC=7A, IB1=1.4A, IB2=--2.8A, RL=28.6, VCC=200V
2.5
s
Fall Time
tf
IC=7A, IB1=1.4A, IB2=--2.8A, RL=28.6, VCC=200V
0.3
s
* : The hFE1 of the 2SC5957 is classified as follows.
Rank
M
N
hFE
20 to 40
30 to 50
Switching Time Test Circuit
D.C.
≤1%
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
IB2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5979 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5979 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5999 25 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5999 25 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC6011O 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5964-S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5964-S-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5964-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5964-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5966-CA 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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