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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC6060 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-10U1A, SC-67, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | 2SC6060 |
2SC6060
2006-11-13
4
Collector
current
I
C
(A)
Safe Operating Area
1
10
Collector
emitter voltage VCE (V)
0.01
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
DC operation
Tc = 25°C
10 ms*
1 ms*
100 ms*
*:Single non-repetitive pulse
Tc = 25°C
Curves
must
be
de-rated
linearly
with
increase
in
temperature.
V
CE
O
max.
1
1000
10
100
0.1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC6062 | 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6072 | 2 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6076 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6077 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6084 | 5 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC6060(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 230V 1A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC6060(STA4,Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 230V 1A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC6061 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type |
| 2SC6061(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 120V 1A TSM 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor NPN 120V 1A hfe120-300 0.2us |
| 2SC6062(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
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