參數(shù)資料
型號： 2SC6095
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PCP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： 2SC6095
2SC6095
No. A0411-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=500mA
350
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
14
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
IC=1A, IB=50mA
100
150
mV
VCE(sat)2
IC=1A, IB=100mA
90
135
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=1A, IB=100mA
0.9
1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=10A, IE=0A
120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=100A, RBE=0
120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
80
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=10A, IC=0A
6.5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
920
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
32
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
7007A-004
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : PCP
2.5
4.0
1.0
1.5
0.5
0.4
3.0
4.5
1.6
0.4
12
3
1.5
0.75
Top View
Bottom View
VR10
RB
VCC=40V
10IB1= --10IB2=IC=0.5A
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
470
F
100
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC6096 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6097-TL 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6097 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6100 2.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC6101 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC6095-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2.5A 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC6096 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications
2SC6096-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC6096-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC6097 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*