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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC6099-TL |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TP-FA, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | 2SC6099-TL |
2SC6099
No. A0435-3/4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0
2.0
1.6
1.2
0.4
0.2
0.8
1.8
1.4
0.6
1.0
0
0.2
0.1
0
0.4
0.6
0.8
0.3
0.5
0.7
0.9
1.0
IT11125
10mA
20mA
40mA
80mA
100mA
IB=0mA
5mA
2mA
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
VCE=5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
IT11126
5
3
2
100
10
7
IT11119
Ta=75
°C
--25
°C
IT11128
IC / IB=10
25°
C
3
1.0
3
5
Ta= --25°C
25°C
75°C
2
7
IC / IB=10
IT11121
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
100
1000
7
3
2
5
7
5
0.01
3
25
0.1
72
3
2
3
5
1.0
7
0.01
3
25
0.1
72
3
5
1.0
72
100
2
7
5
3
2
7
5
3
0.01
3
25
0.1
72
3
2
3
5
1.0
7
0.1
3
25
1.0
73
25
7
2
3
10
57 100
0.1
0.01
3
7
5
3
7
5
3
2
0.01
3
25
0.1
72
3
22
3
2
5
1.0
7
VCE=5V
IT11127
IT11118
VCE=10V
f=1MHz
60mA
0.001
2
0.01
7
5
3
2
7
5
3
2
0.1
7
5
3
1.0
0.1
2
25
37
10
2
5
37
IT11129
100ms
10ms
<10s
1ms
500
s
ICP=3A
IC=2A
100
2
5
37
DC
operation
100
s
1.0
7
5
3
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Cob -- VCB
VCE(sat) -- IC
VBE(sat) -- IC
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
--
pF
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
hFE -- IC
f T -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
--
MHz
Collector Current, IC -- A
A S O
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Ta=25
°C
Single Pulse
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC730 | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-39 |
| 2SC752GTM | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC752GTMR | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC752GTMO | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC945-P-A | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC6099-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC6100 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications |
| 2SC6100(TE85L) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 2.5A 3-Pin UFM T/R |
| 2SC6101 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications |
| 2SC6102 | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 30V 0.5A 200 to 560 TO126 Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 30V 7A TO-126 |
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