參數(shù)資料
型號(hào)： 2SCR372PQT100
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 700 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPT3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 1063K
代理商： 2SCR372PQT100
www.rohm.com
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
2SCR372P
Electrical characteristics (Ta = 25
C)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-emitter breakdown voltage
BVCEO
120
-
V
IC= 1ｍA
Collector-base breakdown voltage
BVCBO
120
-
V
IC= 100μA
Emitter-base breakdown voltage
BVEBO
6-
-
V
IE= 100μA
Collector cut-off current
ICBO
--
1
A
VCB= 100V
Emitter cut-off current
IEBO
--
1
A
VEB= 4V
Collector-emitter staturation voltage
VCE(sat)
-
100
300
mV
IC= -500mA, IB= 50mA
DC current gain
hFE
120
-
390
-
VCE= 5V, IC= 100mA
-8
Collector output capacitance
Cob
Parameter
MHz
220
-
Transition frequency
fT
-
pF
-
VCE= 5V
IE=-300mA, f=100MHz
Conditions
VCB= 10V, IE=0A
f=1MHz
2/4
2011.04 - Rev.A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SCR372PT100 700 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SCR514RTL 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD0662R 70 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD0662BR 70 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD662BR 70 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SCR372PT100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SCR375P5T100Q 功能描述:NPN 120V 1.5A MEDIUM POWER TRANS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 80mA，800mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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2SCR502EBTL 功能描述:TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:200nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:360MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:EMT3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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