參數(shù)資料
型號： 2SCR372PT100
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 700 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPT3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 1063K
代理商： 2SCR372PT100
www.rohm.com
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
2SCR372P
　
Electrical characteristic curves (Ta=25
C)
1
10
100
1000
0
0.5
1
1.5
COL
L
E
CT
OR
CU
RR
E
NT
:
I
C
[m
A
]
BASE TO EMITTER VOLTAGE :V
BE[V]
Fig.1 Ground Emitter Propagation Characteristics
V
CE=5V
Pulsed
Ta=125
°C
75
°C
25
°C
-40°C
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
0.20
0.0
1.0
2.0
COL
L
E
CT
OR
CU
RR
E
NT
:
I
C
[A
]
COLECTOR TO EMITTER VOLTAGE:V
CE[V]
Fig.2 Typical Output Characteristics
1.2mA
0.6mA
0.4mA
I
B=0.2mA
1.6mA
2mA
Ta=25
°C
0.8mA
10
100
1000
1
10
100
1000
DC
CUR
RE
NT
G
A
IN
:h
F
E
COLLECTOR CURRENT :I
C[mA]
Fig.3 DC Current Gain vs. Collector Current(Ⅰ)
Ta=25
°C
Pulsed
V
CE=5V
3V
10
100
1000
1
10
100
1000
DC
CUR
RE
NT
G
A
IN
:h
F
E
COLLECTOR CURRENT :I
C[mA]
Fig.4 DC Current Gain vs. Collector Current(Ⅱ)
V
CE=5V
Pulsed
Ta=125
°C
75
°C
25
°C
-40°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
COL
L
E
CT
OR
S
A
T
UR
A
T
IO
N
V
OL
T
A
GE
:V
CE
(sa
t)
[V
]
COLLECTOR CURRENT :I
C[mA]
Fig.5 Collector-Emitter Saturation Voltage vs. Collector Current(Ⅰ)
I
C/IB=20
10
Ta=25
°C
Pulsed
0.01
0.1
1
10
100
1000
COL
L
E
CT
OR
S
A
T
UR
A
T
IO
N
V
OL
T
A
GE
:V
CE
(sa
t)
[V
]
COLLECTOR CURRENT :I
C[mA]
Fig.6 Collector-Emitter Saturation Voltage vs. Collector Current(Ⅱ)
I
C/IB=10
Pulsed
Ta=125
°C
75
°C
25
°C
-40°C
3/4
2011.04 - Rev.A
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PDF描述
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2SD0662R 70 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SD662BR 70 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SCR375P5T100Q 功能描述:NPN 120V 1.5A MEDIUM POWER TRANS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 80mA，800mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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2SCR502EBTL 功能描述:TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:200nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:360MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:EMT3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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