參數(shù)資料
型號(hào)： 2SCR513PT100
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPT3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 229K
代理商： 2SCR513PT100
1/4
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.12 - Rev.A
Midium Power Transistors (50V / 1A)
2SCR513P
Structure
Dimensions
(Unit : mm)
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Features
1) Low saturation voltage, typically
VCE (sat) = 0.35V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA)
2) High speed switching
Applications
Driver
Inner circuit
(Unit : mm)
Package
Taping
Code
T100
Basic ordering unit (pieces)
1000
2SCR513P
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
C)
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
6V
DC
IC
1A
Pulsed
ICP
2A
PD
0.5
W
PD
2W
Junction temperature
Tj
150
C
Range of storage temperature
Tstg
-55 to 150
C
*1 Pw=10ms, Single Pulse
*2 Each terminal mounted on a recommended land.
*3 Mounted on a ceramic board. (40x40x0.7mm)
Packaging specifications
Type
Parameter
Collector current
Power dissipation
*1
*2
*3
Abbreviated symbol : NC
(1)
(2)
(3)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
(1)
(3)
(2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1000LM-AZ 700 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1000 700 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1000-AZ 700 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1000LM 700 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1010T 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SCR513RTL 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SCR514P 制造商:ROHM 制造商全稱(chēng):Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (80V / 700mA)
2SCR514P_09 制造商:ROHM 制造商全稱(chēng):Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (80V / 700mA)
2SCR514P_10 制造商:ROHM 制造商全稱(chēng):Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (80V / 0.7A)
2SCR514P5T100 功能描述:NPN 80V 700MA MEDIUM POWER TRANS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:700mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 15mA，300mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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