參數(shù)資料
型號： 2SCR514RTL
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TSMT3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 341K
代理商： 2SCR514RTL
Data Sheet
www.rohm.com
20
10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2SCR514R
　
Electrical characteristic curves (Ta = 25
C)
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
00.511.52
COL
L
E
CT
OR
CURRENT
:I
C
[A
]
COLECTOR TO EMITTER VOLTAGE:VCE[V]
Fig1. Typical Output Characteristics
2.5mA
2.0mA
1.5mA
1.0mA
0.5mA
5mA
Ta=25℃
3mA
10
100
1000
1
10
100
1000
DC
CURRENT
GAIN
:h
F
E
COLLECTOR CURRENT :IC[mA]
Fig2. DC Current Gain vs. Collector Current(Ⅰ)
Ta=25℃
VCE=5V
3V
1000
hF
E
Fig3. DC Current Gain vs.Collector Current(Ⅱ)
VCE=3V
1
A
GE
:V
CE
(s
at)[V
]
Fig4. Collector-Emitter Saturation Voltage vs. Collector Current(Ⅰ)
Ta=25℃
10
100
1
10
100
1000
DC
CURRENT
GAIN
:
COLLECTOR CURRENT :IC[mA]
Ta=125℃
75℃
25℃
-40℃
0.01
0.1
1
10
100
1000
COL
L
ECT
O
R
SAT
URAT
ION
VOL
T
A
COLLECTOR CURRENT :IC[mA]
IC/IB=50
20
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
CO
L
ECT
O
R
SAT
URAT
IO
N
VO
L
T
AG
E
:V
CE
(s
at)[V
]
COLLECTOR CURRENT :IC[mA]
Fig5. Collector-Emitter Saturation Voltage vs. Collector Current(Ⅱ)
IC/IB=20
Ta=125℃
75℃
25℃
-40℃
1
10
100
1000
00.51
COL
L
E
CT
OR
CURRENT
:I
C
[m
A
]
BASE TO EMITTER VOLTAGE: VBE[V]
Fig.6 Ground Emitter Propagation Characteristics
VCE=3V
Ta=125℃
75℃
25℃
-40℃
3/5
2010.06 - Rev.A
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PDF描述
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