參數(shù)資料
型號(hào)： 2SCR554RTL
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TSMT3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 408K
代理商： 2SCR554RTL
Data Sheet
www.rohm.com
20
10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2SCR554R
Electrical characteristic (Ta = 25
C)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-emitter breakdown voltage
BVCEO
80
-
V
IC= 1mA
Collector-base breakdown voltage
BVCBO
80
-
V
IC= 100μA
Emitter-base breakdown voltage
BVEBO
6-
-
V
IE= 100μA
Collector cut-off current
ICBO
--
1
A VCB= 80V
Emitter cut-off current
IEBO
--
1
A VEB= 4V
Collector-emitter staturation voltage
VCE(sat)
-
100
300
mV IC= 500mA, IB= 25mA
DC current gain
hFE
120
-
390
-
VCE= 3V, IC= 100mA
Turn-on time
ton
-50
-
ns
Storage time
tstg
-
600
-
ns
Fall time
tf
-60
-
ns
*1 See switching time test circuit
Parameter
MHz
300
-
Transition frequency
fT
-
VCB= 10V, IE=0A
f=1MHz
-
IC= 0.7A, IB1= 70mA,
IB2=-70mA, VCC 10V
Conditions
VCE= 10V
IE=-200mA, f=100MHz
-pF
10
Collector output capacitance
Cob
*1
~_
2/5
2010.06 - Rev.A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD0592AR 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD0592AS 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD592AR 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD0592S 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD592Q 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
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2SCR573D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SCR574D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:280MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SCR574DGTL 功能描述:TRANS NPN 80V 2A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:280MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SCR586D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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