參數(shù)資料
型號: 2SD0875GR
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 209K
代理商: 2SD0875GR
2SD0875G
2
SJD00337AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IE
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
Cob VCB
Safe operation area
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.4
1.2
0.4
1.0
0.8
0.2
0.6
Copper plate at the collector
is more than 1 cm2 in area,
1.7 mm in thickness
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
Ambient temperature T
a (°C)
010
8
26
4
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta
= 25°C
IB
= 10 mA
9 mA
8 mA
7 mA
6 mA
5 mA
4 mA
3 mA
2 mA
1 mA
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
1
10
100
1 000
0.001
0.01
0.1
1
10
IC / IB
= 10
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
1
10
100
1 000
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
Ta
= 25°C
25
°C
75
°C
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
1
10
100
1 000
0
300
250
200
150
100
50
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
1
10
100
0
200
160
120
80
40
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
1
10
100
0
50
40
30
20
10
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
0.1
1
10
100
103
102
101
1
100
Single pulse
TC
= 25°C
DC
t
= 1 s
ICP
IC
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD0875G-S 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD0875GS 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD0875G 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD0875G-R 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD0946Q 1 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD0875GSL 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 500MA MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD0875R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-243
2SD0875S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-243
2SD0946 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Low-Frequency Amplification
2SD0946(2SD946) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:パワーデバイス - パワートランジスタ - その他