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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1011 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency amplification |
| 中文描述： | 20 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2SD1011 |
2
Transistor
2SD1011
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
NV — I
C
NV — V
CE
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
500
400
300
200
100
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
80
60
20
50
70
40
10
30
Ta=25C
20
μ
A
30
μ
A
40
μ
A
50
μ
A
60
μ
A
80
μ
A
10
μ
A
I
B
=100
μ
A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
60
50
40
30
20
10
V
CE
=10V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
25C
–25C
Ta=75C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0
2000
1600
1200
800
400
V
CE
=10V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
0
–1
–10
–100
– 0.3
Emitter current I
E
(mA)
–3
–30
200
160
120
80
40
V
=10V
Ta=25C
T
T
1
3
10
30
100
0
6
5
4
3
2
1
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
0.01
0.03
0.1
0.3
1
0
100
80
60
40
20
V
CE
=10V
G
=80dB
Function=FLAT
Ta=25C
5k
R
g
=100k
22k
Collector current I
C
(mA)
N
1
3
10
30
100
0
100
80
60
40
20
I
C
=1mA
G
=80dB
Function=FLAT
Ta=25C
5k
R
g
=100k
22k
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
N
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1022 | Darlington Transistor(5A NPN) |
| 2SD1023 | Darlington Transistor(5A NPN) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SD1012F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAK |
| 2SD1012F-SPA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1012F-SPA-AC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1012G | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAK |
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