參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1012-F
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SPA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 103K
代理商： 2SD1012-F
2SB808/2SD1012
No.676—2/5
* : The 2SB808/2SD1012 are classified by 50mA hFE as follows :
2SB808
2SD1012
k
n
a
RF
G
h E
F
0
2
3
o
t
0
6
10
6
5
o
t
0
8
2
k
n
a
RF
G
H
h E
F
0
2
3
o
t
0
6
10
6
5
o
t
0
8
20
6
9
o
t
0
8
4
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
o
C
s
g
n
i
t
a
R
t
i
n
U
n
i
mp
y
tx
a
m
e
g
a
t
l
o
V
n
o
i
t
a
r
u
t
a
S
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
C
V
)
t
a
s
(
E
C
1IC
I
,
A
m
5
)
–
(
=
B
A
m
5
.
0
)
–
(
=
)
5
1
–
()
5
3
–
(V
m
0
15
2V
m
V
)
t
a
s
(
E
C
2IC
I
,
A
m
0
1
)
–
(
=
B
A
m
0
1
)
–
(
=
)
0
6
–
()
0
2
1
–
(V
m
0
30
8V
m
e
g
a
t
l
o
V
n
o
i
t
a
r
u
t
a
S
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
e
s
a
BV
)
t
a
s
(
E
B
IC
I
,
A
m
0
1
)
–
(
=
B
A
m
0
1
)
–
(
=8
.
0
)
–
(2
.
1
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
0
1
)
–
(
=
E 0
=0
2
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
–
(
=
E
B =∞
5
1
)
–
(V
e
g
a
t
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
o
t
-
r
e
t
i
m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
0
1
)
–
(
=
C 0
=5
)
–
(V
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--800
--700
--600
--500
--400
--300
--200
--100
0
0--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
IC -- VCE
IB=0
ITR08383
IB -- VBE
0
20
40
60
80
100
00.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ITR08385
--1mA
--2mA
--6mA
2SB808
2SD1012
VCE=5V
(For PNP, minus sign is omitted.)
--10mA
--30mA
--50mA
800
700
600
500
400
300
200
100
0
00.1
0.2
0.3
0.4
0.5
IC -- VCE
IB=0
ITR08384
1mA
2mA
4mA
6mA
2SD1012
10mA
50mA
C
f T -- IC
100
10
1.0
2
7
5
3
1000
2
7
5
3
23
5
7
10
23
5
100
ITR08386
2SB808
2SD1012
VCE=10V
Collector
Current,
I C
—
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE — V
Collector
Current,
I C
—
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE — V
Base
Current,
I B
—
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE — V
Gain-Bandwidth
Product,
f T
—
MHz
Collector Current, IC — mA
(For PNP, minus sign is omitted.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1012-G 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB808G 700 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1012G 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1012H 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1012-H 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1012F-SPA 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1012F-SPA-AC 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1012G 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAK
2SD1012G-SPA 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1012G-SPA-AC 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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